TMC8N65H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMC8N65H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для TMC8N65H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMC8N65H даташит

 ..1. Size:538K  cn wuxi unigroup
 tma8n65h tmc8n65h tmd8n65h tmu8n65h.pdf pdf_icon

TMC8N65H

TMA8N65H, TMC8N65H,TMD8N65H, TMU8N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA

Другие IGBT... TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H, TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H, TMA8N65H, 4N60, TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, TMP160N08A, TMB80N08A