TMP160N08A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMP160N08A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TMP160N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP160N08A даташит

 ..1. Size:445K  cn wuxi unigroup
 tmb160n08a tmp160n08a.pdf pdf_icon

TMP160N08A

TMB160N08A,TMP160N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:445K  cn wuxi unigroup
 tmp160n10a.pdf pdf_icon

TMP160N08A

TMP160N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits Uninter

 9.1. Size:625K  trinnotech
 tmp16n25z tmpf16n25z.pdf pdf_icon

TMP160N08A

TMP16N25Z(G)/TMPF16N25Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

 9.2. Size:618K  trinnotech
 tmp16n60a tmpf16n60a.pdf pdf_icon

TMP160N08A

TMP16N60A(G)/TMPF16N60A(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMA8N65H, TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, SI2302, TMB80N08A, TMP80N08A, TMD02N15AT, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, TPA120R800A, TPB120R800A