Справочник MOSFET. TPA120R800A

 

TPA120R800A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPA120R800A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TPA120R800A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPA120R800A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  cn wuxi unigroup
 tpa120r800a tpb120r800a tpw120r800a.pdf pdf_icon

TPA120R800A

TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd1200V Super-junction Power MOSFETDescription1200V super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses de

 ..2. Size:498K  cn wuxi unigroup
 tpa120r800a.pdf pdf_icon

TPA120R800A

TPA120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 1200V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 1200V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and L

Другие MOSFET... TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A , AON6380 , TPB120R800A , TPW120R800A , TPA60R160M , TPP60R160M , TPV60R160M , TPW60R160M , TPA60R170MFD , TPA60R240M .

History: FCPF260N60E | FQD8P10TM-F085 | TP0610T | NCE020N30K | KF10N60P | HY1606P | SSM9435K

 

 
Back to Top

 


 
.