TPA120R800A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPA120R800A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TPA120R800A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPA120R800A даташит

 ..1. Size:683K  cn wuxi unigroup
 tpa120r800a tpb120r800a tpw120r800a.pdf pdf_icon

TPA120R800A

TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 1200V Super-junction Power MOSFET Description 1200V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses de

 ..2. Size:498K  cn wuxi unigroup
 tpa120r800a.pdf pdf_icon

TPA120R800A

TPA120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 1200V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 1200V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and L

Другие IGBT... TMB160N08A, TMP160N08A, TMB80N08A, TMP80N08A, TMD02N15AT, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, IRFZ24N, TPB120R800A, TPW120R800A, TPA60R160M, TPP60R160M, TPV60R160M, TPW60R160M, TPA60R170MFD, TPA60R240M