TPP65R070D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPP65R070D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TPP65R070D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPP65R070D даташит

 ..1. Size:773K  cn wuxi unigroup
 tpa65r070d tpb65r070d tpp65r070d tpw65r070d.pdf pdf_icon

TPP65R070D

TPA65R070D,TPB65R070D,TPP65R070D,TPW65R070D Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losse

 ..2. Size:554K  cn wuxi unigroup
 tpb65r070d tpp65r070d.pdf pdf_icon

TPP65R070D

TPB65R070D,TPP65R070D Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 650V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consum

 6.1. Size:753K  cn wuxi unigroup
 tpb65r075dfd tpp65r075dfd tpw65r075dfd.pdf pdf_icon

TPP65R070D

TPB65R075DFD,TPP65R075DFD,TPW65R075DFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devic

 8.1. Size:554K  cn wuxi unigroup
 tpp65r160c tpa65r160c tpv65r160c.pdf pdf_icon

TPP65R070D

TPP65R160C, TPA65R160C, TPV65R160C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marki

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TPD60R3K4C, TPA60R530M, TPD60R530M, TPU60R530M, TPA60R600MFD, TPD60R600MFD, TPA65R070D, TPB65R070D, IRFZ44N, TPW65R070D, TPA65R090M, TPA65R100MFD, TPV65R100MFD, TPW65R100MFD, TPA65R160C, TPB65R160C, TPP65R160C