TPV70R190C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPV70R190C
Маркировка: 70R190C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 198 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 116 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.21 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для TPV70R190C
TPV70R190C Datasheet (PDF)
tpa70r190c tpc70r190c tpp70r190c tpv70r190c.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TPA70R190C,TPC70R190C,TPP70R190C,TPV70R190CWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses
tpv7025r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TPV7025/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTPV7025. . . designed for output stages in Band IV & V TV transmitter amplifiers. Internalmatching of both input and output along with use of a pushpull packageconfiguration aids broadband amplifier designs.Gold metallized dice with diffused emitter ballast resistors e
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .