Справочник MOSFET. TPV70R190C

 

TPV70R190C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPV70R190C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для TPV70R190C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPV70R190C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:913K  cn wuxi unigroup
 tpa70r190c tpc70r190c tpp70r190c tpv70r190c.pdf pdf_icon

TPV70R190C

TPA70R190C,TPC70R190C,TPP70R190C,TPV70R190CWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses

 9.1. Size:79K  motorola
 tpv7025r.pdf pdf_icon

TPV70R190C

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TPV7025/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTPV7025. . . designed for output stages in Band IV & V TV transmitter amplifiers. Internalmatching of both input and output along with use of a pushpull packageconfiguration aids broadband amplifier designs.Gold metallized dice with diffused emitter ballast resistors e

Другие MOSFET... TPP65R750C , TPU65R750C , TPA65R950M , TPB65R950M , TPD65R950M , TPA70R190C , TPC70R190C , TPP70R190C , STP80NF70 , TPA70R260M , TPA70R360M , TPD70R360M , TPP70R360M , TPU70R360M , TPA70R450C , TPB70R450C , TPC70R450C .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.