TPV70R190C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPV70R190C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для TPV70R190C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPV70R190C даташит

 ..1. Size:913K  cn wuxi unigroup
 tpa70r190c tpc70r190c tpp70r190c tpv70r190c.pdf pdf_icon

TPV70R190C

TPA70R190C,TPC70R190C,TPP70R190C,TPV70R190C Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-junction Power MOSFET Description 700V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses

 9.1. Size:79K  motorola
 tpv7025r.pdf pdf_icon

TPV70R190C

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by TPV7025/D The RF Line UHF Linear Power Transistor TPV7025 . . . designed for output stages in Band IV & V TV transmitter amplifiers. Internal matching of both input and output along with use of a push pull package configuration aids broadband amplifier designs. Gold metallized dice with diffused emitter ballast resistors e

Другие IGBT... TPP65R750C, TPU65R750C, TPA65R950M, TPB65R950M, TPD65R950M, TPA70R190C, TPC70R190C, TPP70R190C, 10N65, TPA70R260M, TPA70R360M, TPD70R360M, TPP70R360M, TPU70R360M, TPA70R450C, TPB70R450C, TPC70R450C