Справочник MOSFET. TPA70R600M

 

TPA70R600M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPA70R600M
   Маркировка: 70R600M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TPA70R600M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPA70R600M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  cn wuxi unigroup
tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdfpdf_icon

TPA70R600M

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio

 ..2. Size:499K  cn wuxi unigroup
tpa70r600m.pdfpdf_icon

TPA70R600M

TPA70R600M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighti

 8.1. Size:913K  cn wuxi unigroup
tpa70r190c tpc70r190c tpp70r190c tpv70r190c.pdfpdf_icon

TPA70R600M

TPA70R190C,TPC70R190C,TPP70R190C,TPV70R190CWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses

 8.2. Size:907K  cn wuxi unigroup
tpa70r360m tpd70r360m tpp70r360m tpu70r360m.pdfpdf_icon

TPA70R600M

TPA70R360M, TPD70R360M, TPP70R360M, TPU70R360M Wuxi Unigroup Microelectronics Company 700V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device T

Другие MOSFET... TPP70R360M , TPU70R360M , TPA70R450C , TPB70R450C , TPC70R450C , TPD70R450C , TPP70R450C , TPU70R450C , K2611 , TPB70R600M , TPD70R600M , TPR70R600M , TPU70R600M , TPA73R190M , TPA73R300M , TPA73R400M , TPA80R180M .

History: TPB65R360M

 

 
Back to Top

 


 
.