Справочник MOSFET. TPW80R300C

 

TPW80R300C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPW80R300C
   Маркировка: 80R300C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 151 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
   Время нарастания (tr): 14 ns
   Выходная емкость (Cd): 116 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для TPW80R300C

 

 

TPW80R300C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1210K  cn wuxi unigroup
tpa80r300c tpb80r300c tpp80r300c tpw80r300c.pdf

TPW80R300C TPW80R300C

TPA80R300C,TPB80R300C,TPP80R300C,TPW80R300CWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losse

 5.1. Size:686K  cn wuxi unigroup
tpw80r300mfd.pdf

TPW80R300C TPW80R300C

TPW80R300MFDWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely low switching,

 8.1. Size:683K  cn wuxi unigroup
tpw80r200mfd.pdf

TPW80R300C TPW80R300C

TPW80R200MFDWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely low switching,

 8.2. Size:567K  cn wuxi unigroup
tpa80r250a tpp80r250a tpw80r250a.pdf

TPW80R300C TPW80R300C

TPA80R250A, TPP80R250A, TPW80R250A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) D Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) G Device Marking and Package Information Device Packa

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top