STU326S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU326S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 52 A
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Выходная емкость (Cd): 245 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0063 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
STU326S Datasheet (PDF)
stu326s std326s.pdf
GrerrPPrPrProSTU/D326SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.6.3 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.52A30V9.5 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK
stu328s std328s.pdf
GreerrPPrPrProSTU/D328SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.4.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.58A30V7.2 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK
stu320s std320s.pdf
STU/D320SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.20 @ VGS=10V30V 30A TO-252 and TO-251 Package.29 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGGSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(l-PAK)S
Другие MOSFET... FDB3860 , STU413S , FDB390N15A , FDB44N25 , FDB52N20 , STU417L , FDB5800 , FDB8132F085 , AON7506 , FDB8160F085 , STU312D , FDB8441 , FDB8441F085 , FDB8442 , FDB8442F085 , FDB8443 , FDB8443F085 .
