Справочник MOSFET. TSD120N10AT

 

TSD120N10AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSD120N10AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для TSD120N10AT

 

 

TSD120N10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  cn wuxi unigroup
 tsd120n10at tsp120n10at tsg120n10at.pdf

TSD120N10AT TSD120N10AT

TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10ATWuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.100V N-Channel SGT MOSFETGeneral DescriptionProduct SummaryVDS 100V l Trench Power SGT technologyID (at VGS =10V) 55Al Very low on-resistance RDS(ON)RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:473K  cn wuxi unigroup
 tsd12n06at.pdf

TSD120N10AT TSD120N10AT

TSD12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top