TSD120N10AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD120N10AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TSD120N10AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSD120N10AT даташит

 ..1. Size:692K  cn wuxi unigroup
 tsd120n10at tsp120n10at tsg120n10at.pdf pdf_icon

TSD120N10AT

TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel SGT MOSFET General Description Product Summary VDS 100V l Trench Power SGT technology ID (at VGS =10V) 55A l Very low on-resistance RDS(ON) RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:473K  cn wuxi unigroup
 tsd12n06at.pdf pdf_icon

TSD120N10AT

TSD12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa

Другие IGBT... TPW65R190MFD, TPW70R100MFD, TPW80R200MFD, TPW80R300MFD, TPY70R1K5MB, TSB15N06A, TSB15N10A, TSD10N06AT, IRF540, TSP120N10AT, TSG120N10AT, TSD12N06AT, TSG017N045AT, TSG10N06AT, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT