TSP15N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TSP15N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TSP15N10A
TSP15N10A Datasheet (PDF)
tsp15n10a.pdf

TSP15N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 100V N-Channel DTMOS General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 100V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS=10V)
tsp15n06a.pdf

TSP15N06A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pac
Другие MOSFET... TSD12N06AT , TSG017N045AT , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , AON6414A , TTB105N06A , TTP105N06A , TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003