TSP15N10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSP15N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TSP15N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP15N10A даташит

 ..1. Size:496K  cn wuxi unigroup
 tsp15n10a.pdf pdf_icon

TSP15N10A

TSP15N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 100V N-Channel DTMOS General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 100V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:442K  cn wuxi unigroup
 tsp15n06a.pdf pdf_icon

TSP15N10A

TSP15N06A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pac

Другие IGBT... TSD12N06AT, TSG017N045AT, TSG10N06AT, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, TSP15N06A, IRFB4227, TTB105N06A, TTP105N06A, TTB105N08A, TTP105N08A, TTB115N08A, TTP115N08A, TTB115N08AA, TTP115N08AA