Справочник MOSFET. TTB118N08A

 

TTB118N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTB118N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для TTB118N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTB118N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:790K  cn wuxi unigroup
 ttb118n08a ttp118n08a.pdf pdf_icon

TTB118N08A

TTB118N08A,TTP118N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 82V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 82V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 118A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:445K  cn wuxi unigroup
 ttb115n08a ttp115n08a.pdf pdf_icon

TTB118N08A

TTB115N08A,TTP115N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:811K  cn wuxi unigroup
 ttb115n08aa ttp115n08aa.pdf pdf_icon

TTB118N08A

TTB115N08AA,TTP115N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 115A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TTB105N06A , TTP105N06A , TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA , AON7408 , TTP118N08A , TTB135N68A , TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT .

History: HGD290N10SL | MTW32N20EG | HGD195N15S

 

 
Back to Top

 


 
.