Справочник MOSFET. TTB145N06A

 

TTB145N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTB145N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 481 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TTB145N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:826K  cn wuxi unigroup
 ttb145n06a ttp145n06a.pdf pdf_icon

TTB145N06A

TTB145N06A,TTP145N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 145A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 6.1. Size:362K  cn wuxi unigroup
 ttb145n08a ttp145n08a.pdf pdf_icon

TTB145N06A

TTB145N08A,TTP145N08A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 80V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.