Справочник MOSFET. TTB85N08A

 

TTB85N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTB85N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для TTB85N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTB85N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08a ttp85n08a.pdf pdf_icon

TTB85N08A

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:834K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08aa ttp85n08aa.pdf pdf_icon

TTB85N08A

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT , SPP20N60C3 , TTP85N08A , TTB85N08AA , TTP85N08AA , TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT .

History: AP18T10GH-HF | BUK7606-55A

 

 
Back to Top

 


 
.