Справочник MOSFET. TTB85N08A

 

TTB85N08A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TTB85N08A
   Маркировка: 85N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 92 nC
   Время нарастания (tr): 19 ns
   Выходная емкость (Cd): 245 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для TTB85N08A

 

 

TTB85N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08a ttp85n08a.pdf

TTB85N08A TTB85N08A

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:834K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08aa ttp85n08aa.pdf

TTB85N08A TTB85N08A

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top