TTP85N08A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TTP85N08A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TTP85N08A
TTP85N08A Datasheet (PDF)
ttb85n08a ttp85n08a.pdf

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
ttb85n08aa ttp85n08aa.pdf

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
Другие MOSFET... TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT , TTB85N08A , 4435 , TTB85N08AA , TTP85N08AA , TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT .
History: TTD120N04AT | FDD14AN06LF085 | TTD135N68A | ZVN4210ASTOB | FQAF9N50 | IPL60R299CP
History: TTD120N04AT | FDD14AN06LF085 | TTD135N68A | ZVN4210ASTOB | FQAF9N50 | IPL60R299CP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF | AP20H02S | AP20G06GD | AP20G04NF | AP20G04GD | AP20G03NF | AP70P03DF
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955