Справочник MOSFET. TTP85N08A

 

TTP85N08A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TTP85N08A
   Маркировка: 85N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 92 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TTP85N08A

 

 

TTP85N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08a ttp85n08a.pdf

TTP85N08A TTP85N08A

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:834K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08aa ttp85n08aa.pdf

TTP85N08A TTP85N08A

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top