Справочник MOSFET. TTD100N04AT

 

TTD100N04AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD100N04AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TTD100N04AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD100N04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  cn wuxi unigroup
 ttd100n04at ttp100n04at.pdf pdf_icon

TTD100N04AT

TTD100N04AT, TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and

Другие MOSFET... TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , TTP85N08AA , TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A , RFP50N06 , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , TTD135N68A , TTD160N03GT , TTP160N03GT .

History: TPB65R600M | MP7AN65EC

 

 
Back to Top

 


 
.