Справочник MOSFET. TTD135N68A

 

TTD135N68A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD135N68A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TTD135N68A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD135N68A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  cn wuxi unigroup
 ttd135n68a.pdf pdf_icon

TTD135N68A

TTD135N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 68V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 135A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TTD95N68A , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , AO4407 , TTD160N03GT , TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT .

History: AP93T03AGH | BUK9275-100A | IXTA36N30P

 

 
Back to Top

 


 
.