TTD160N03GT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD160N03GT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 904 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD160N03GT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD160N03GT даташит

 ..1. Size:448K  cn wuxi unigroup
 ttd160n03gt ttp160n03gt.pdf pdf_icon

TTD160N03GT

TTD160N03GT, TTP160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package

Другие IGBT... TTP95N68A, TTD100N04AT, TTP100N04AT, TTD120N03AT, TTP120N03AT, TTD120N04AT, TTP120N04AT, TTD135N68A, CS150N03A8, TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, TTD35N02AV, TTD40P03AT, TTD50P04AT