Справочник MOSFET. TTD160N03GT

 

TTD160N03GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD160N03GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 904 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TTD160N03GT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD160N03GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  cn wuxi unigroup
 ttd160n03gt ttp160n03gt.pdf pdf_icon

TTD160N03GT

TTD160N03GT, TTP160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package

Другие MOSFET... TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , TTD135N68A , IRLB4132 , TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , TTD50P04AT .

History: AP18P10GK | SFF116N10M | IRFH7934PBF

 

 
Back to Top

 


 
.