TTD30P03AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TTD30P03AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 236 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для TTD30P03AT
TTD30P03AT Datasheet (PDF)
ttd30p03at.pdf
TTD30P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)
ttd30p10at ttp30p10at.pdf
TTD30P10AT, TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP30P10AT TO-220 30P10AT TTD30P10AT TO
ttb30p10at ttd30p10at ttp30p10at.pdf
TTB30P10AT,TTD30P10AT,TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -100V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918