TTD40P03AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD40P03AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 288 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD40P03AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD40P03AT даташит

 ..1. Size:624K  cn wuxi unigroup
 ttd40p03at.pdf pdf_icon

TTD40P03AT

TTD40P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) -40A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие IGBT... TTD135N68A, TTD160N03GT, TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, TTD35N02AV, BS170, TTD50P04AT, TTD60N03QT, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT