Справочник MOSFET. TTD65N04AT

 

TTD65N04AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD65N04AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD65N04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  cn wuxi unigroup
 ttd65n04at.pdf pdf_icon

TTD65N04AT

TTD65N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 65A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SUD50N025-06P | ME7810S-G | H5N5001FM | SI1402DH | 2N4338 | SWMN12N70D | RJK6002DJE

 

 
Back to Top

 


 
.