Справочник MOSFET. TTD65N04AT

 

TTD65N04AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD65N04AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TTD65N04AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD65N04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  cn wuxi unigroup
 ttd65n04at.pdf pdf_icon

TTD65N04AT

TTD65N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 65A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , TTD50P04AT , TTD60N03QT , P0903BDG , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT .

 

 
Back to Top

 


 
.