STU314D - описание и поиск аналогов

 

STU314D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU314D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO252-4L

Аналог (замена) для STU314D

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU314D даташит

 ..1. Size:266K  samhop
stu314d.pdfpdf_icon

STU314D

Green Product STU314D a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 28 @ VGS=10V 34 @ VGS=-10V 30V 16A -30V -14A 40 @ VGS=4.5V 55 @ VGS=-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 G2 S 1 N-ch S 2 P-ch TO-252-4L (

 9.1. Size:243K  samhop
stu313d.pdfpdf_icon

STU314D

STU313D a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 24 @ VGS=10V 33 @ VGS=-10V 30V 16A -30V -15A 35 @ VGS=4.5V 52 @ VGS=-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 G2 S 1 N-ch S 2 P-ch TO-252-4L (TC=25 C unless

 9.2. Size:194K  samhop
stu312d.pdfpdf_icon

STU314D

Green Product S TU312D S amHop Microelectronics C orp. Oct 08 2008 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 24 @ VG S = 10V 34 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 36 @ VG S = 4.5V 54 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1

 9.3. Size:291K  samhop
stu310dh.pdfpdf_icon

STU314D

STU310DH SamHop Microelectronics Corp. May,28,2007 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( NandP Channel) (N-C hannel) (P PRODUCT S UMMARY PRODUC T S UMMARY -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m W ) Max W 20 @ VGS =10V 30 @ VGS =-10V -30V -15A 30V 19A 28 @ VGS =4.5V 44 @ VGS =-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S1 G1 S2 S 1 N-ch S 2 P-ch G2 TO-252-4L

Другие MOSFET... FDB8444F085 , FDB8445 , FDB8445F085 , FDB8447L , FDB8453LZ , FDB8832 , STU313D , FDB8832F085 , IRFB31N20D , FDB8860 , STU320S , FDB8860F085 , STU310DH , FDB8870 , STU30N15 , FDB8870F085 , STU30N01 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.