VBE1606 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBE1606  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0117 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBE1606

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1606 даташит

 ..1. Size:684K  cn vbsemi
vbe1606.pdfpdf_icon

VBE1606

VBE1606 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0120 ID (A) 97 Configuration Single D TO-252 G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C

 9.1. Size:524K  cn vbsemi
vbe1695.pdfpdf_icon

VBE1606

VBE1695 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.085 at VGS = 4.5 V 13.2 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters

 9.2. Size:377K  cn vbsemi
vbe1615.pdfpdf_icon

VBE1606

VBE1615 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit U

 9.3. Size:932K  cn vbsemi
vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdfpdf_icon

VBE1606

VBM165R07 / VBMB165R07 VBE165R07 / VBFB165R07 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r

Другие IGBT... VBE1206, VBE1206N, VBE1302, VBE1303, VBE1307, VBE1310, VBE1405, VBE1410, IRFB4110, VBE1615, VBE1638, VBE165R02, VBE165R04, VBE1695, VBE1806, VBE2102M, VBFB2102M