Справочник MOSFET. VBE165R02

 

VBE165R02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBE165R02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE165R02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE165R02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  cn vbsemi
vbe165r02.pdfpdf_icon

VBE165R02

VBE165R02www.VBsemi.comN-Channel 650 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 3.8RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 15RuggednessQgs (nC) 3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 6 Compliant to Ro

 6.1. Size:932K  cn vbsemi
vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdfpdf_icon

VBE165R02

VBM165R07 / VBMB165R07VBE165R07 / VBFB165R07www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r

 6.2. Size:984K  cn vbsemi
vbe165r04.pdfpdf_icon

VBE165R02

VBE165R04 www.VBsemi.comPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Compliant to RoH

 6.3. Size:921K  cn vbsemi
vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdfpdf_icon

VBE165R02

VBM165R07S / VBMB165R07SVBE165R07S / VBFB165R07Swww.VBsemi.comN hannel 650 D S Super Junc n Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.7 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 2.0

Другие MOSFET... VBE1303 , VBE1307 , VBE1310 , VBE1405 , VBE1410 , VBE1606 , VBE1615 , VBE1638 , IRFP260N , VBE165R04 , VBE1695 , VBE1806 , VBE2102M , VBFB2102M , VBE2104N , VBE2305 , VBE2309 .

History: CJBB3139K | RJK1535DPJ | PNM8P30V20 | CEU02N6A | CMP100N04 | TPCF8201 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.