VBFB2102M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBFB2102M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.279 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBFB2102M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBFB2102M даташит

 ..1. Size:637K  cn vbsemi
 vbfb2102m.pdf pdf_icon

VBFB2102M

VBFB2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.215 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET - 100 11 0.234 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch DC/

 ..2. Size:575K  cn vbsemi
 vbe2102m vbfb2102m.pdf pdf_icon

VBFB2102M

VBE2102M/VBFB2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET - 100 11.7 0.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-251 P

 9.1. Size:512K  cn vbsemi
 vbfb2658.pdf pdf_icon

VBFB2102M

VBFB2658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ) Definition 0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET - 60 26 0.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS High Side Switch for Full Bri

 9.2. Size:623K  cn vbsemi
 vbfb2412.pdf pdf_icon

VBFB2102M

VBFB2412 www.VBsemi.com P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.010 at VGS = - 10 V 55 RoHS* - 40 COMPLIANT 0.014 at VGS = - 4.5 V 54 TO-251 S G G D S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBE1606, VBE1615, VBE1638, VBE165R02, VBE165R04, VBE1695, VBE1806, VBE2102M, AON6414A, VBE2104N, VBE2305, VBE2309, VBE2311, VBE2317, VBE2338, VBE2412, VBE2509