Справочник MOSFET. VBE2104N

 

VBE2104N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBE2104N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 301 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE2104N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE2104N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  cn vbsemi
 vbe2104n.pdf pdf_icon

VBE2104N

VBE2104Nwww.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directiv

 8.1. Size:575K  cn vbsemi
 vbe2102m vbfb2102m.pdf pdf_icon

VBE2104N

VBE2102M/VBFB2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-251 P

Другие MOSFET... VBE1615 , VBE1638 , VBE165R02 , VBE165R04 , VBE1695 , VBE1806 , VBE2102M , VBFB2102M , P55NF06 , VBE2305 , VBE2309 , VBE2311 , VBE2317 , VBE2338 , VBE2412 , VBE2509 , VBE2610N .

History: MS4N60C | AM4922N | FTK35N03PDFN56 | IXTH22N50P | IRF6637 | VS3615GE

 

 
Back to Top

 


 
.