VBE2509 - описание и поиск аналогов

 

VBE2509 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBE2509
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 272 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE2509

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE2509 технические параметры

 ..1. Size:637K  cn vbsemi
 vbe2509.pdf pdf_icon

VBE2509

VBE2509 www.VBsemi.com P-Channel 50 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -50 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.016 ID (A) -50 Configuration Single TO-252 S G D D G S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle

Другие MOSFET... VBFB2102M , VBE2104N , VBE2305 , VBE2309 , VBE2311 , VBE2317 , VBE2338 , VBE2412 , 7N65 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 , VBE3310 , VBE5415 , VBE5638 , VBF2355 , VBFB1101M .

History: VBE2610N

 

 
Back to Top

 


 
.