VBE2509 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBE2509  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 272 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBE2509

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE2509 даташит

 ..1. Size:637K  cn vbsemi
 vbe2509.pdf pdf_icon

VBE2509

VBE2509 www.VBsemi.com P-Channel 50 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -50 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.016 ID (A) -50 Configuration Single TO-252 S G D D G S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle

Другие IGBT... VBFB2102M, VBE2104N, VBE2305, VBE2309, VBE2311, VBE2317, VBE2338, VBE2412, 7N65, VBE2610N, VBE2625, VBE2658, VBE3310, VBE5415, VBE5638, VBF2355, VBFB1101M