Справочник MOSFET. VBE2509

 

VBE2509 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBE2509
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 272 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE2509

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE2509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  cn vbsemi
 vbe2509.pdf pdf_icon

VBE2509

VBE2509www.VBsemi.comP-Channel 50 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -50 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.016ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unle

Другие MOSFET... VBFB2102M , VBE2104N , VBE2305 , VBE2309 , VBE2311 , VBE2317 , VBE2338 , VBE2412 , STP75NF75 , VBE2610N , VBE2625 , VBE2658 , VBE3310 , VBE5415 , VBE5638 , VBF2355 , VBFB1101M .

History: DH8004 | BSB017N03LX3G | SPB80N10LG | HGA040N06S | AOLF66413 | P06P03LVG

 

 
Back to Top

 


 
.