Справочник MOSFET. VBI2658

 

VBI2658 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBI2658
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для VBI2658

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI2658 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:768K  cn vbsemi
 vbi2658.pdf pdf_icon

VBI2658

VBI2658www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.058 at VGS = - 10 V - 6.5APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 5.5 Load SwitchSDGDG D SP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol L

Другие MOSFET... VBFB2412 , VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , IRF1407 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.