VBI2658 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBI2658  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 typ Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBI2658

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI2658 даташит

 ..1. Size:768K  cn vbsemi
 vbi2658.pdf pdf_icon

VBI2658

VBI2658 www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.058 at VGS = - 10 V - 6.5 APPLICATIONS - 60 30 nC 0.065 at VGS = - 4.5 V - 5.5 Load Switch S D G D G D S P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol L

Другие IGBT... VBFB2412, VBFB2610N, VBFB2658, VBI1101M, VBI1322, VBI1638, VBI1695, VBI2338, NCEP15T14, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658