VBJ1322 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBJ1322  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBJ1322

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1322 даташит

 ..1. Size:477K  cn vbsemi
 vbj1322.pdf pdf_icon

VBJ1322

VBJ1322 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.021 ID (A) 7 Configuration Single D SOT-223 G D S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PARA

Другие IGBT... VBI1101M, VBI1322, VBI1638, VBI1695, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, CS150N04A8, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298