Справочник MOSFET. VBJ1322

 

VBJ1322 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBJ1322
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ1322

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1322 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  cn vbsemi
 vbj1322.pdf pdf_icon

VBJ1322

VBJ1322www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.021ID (A) 7Configuration SingleDSOT-223GDSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARA

Другие MOSFET... VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , 18N50 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 .

History: IPB60R160C6 | 5N65G-TN3-R | AOI600A60 | NCE60N1K0R | FQP5P20 | AOW125A60

 

 
Back to Top

 


 
.