VBJ1695 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBJ1695 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBJ1695
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ1695

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1695 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  cn vbsemi
 vbj1695.pdf pdf_icon

VBJ1695

VBJ1695www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles

 9.1. Size:554K  cn vbsemi
 vbj1638.pdf pdf_icon

VBJ1695

VBJ1638www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs600.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , STF13NM60N , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K .

History: MPVA20N50F | 2SK1841 | VBFB2658 | SWD4N65K | LNC07R085H | DH020N03F | AP9467AGM

 

 
Back to Top

 


 
.