VBJ1695 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBJ1695  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 typ Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBJ1695

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1695 даташит

 ..1. Size:506K  cn vbsemi
 vbj1695.pdf pdf_icon

VBJ1695

VBJ1695 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles

 9.1. Size:554K  cn vbsemi
 vbj1638.pdf pdf_icon

VBJ1695

VBJ1638 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET

Другие IGBT... VBI1638, VBI1695, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, IRFP450, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K