VBJ2658. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBJ2658

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 typ Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для VBJ2658

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ2658 даташит

 ..1. Size:681K  cn vbsemi
 vbj2658.pdf pdf_icon

VBJ2658

VBJ2658 www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.055 at VGS = - 10 V - 7.0 APPLICATIONS - 60 30 nC 0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load Switch S SOT-223 G D S D G D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Paramet

Другие IGBT... VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, 10N65, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N, VBK8238