VBJ2658 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBJ2658 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBJ2658
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ2658

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ2658 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  cn vbsemi
 vbj2658.pdf pdf_icon

VBJ2658

VBJ2658www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramet

Другие MOSFET... VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , STP80NF70 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 .

History: IPP80R750P7 | PSMN004-55W | FDU6644 | HFU5N50S

 

 
Back to Top

 


 
.