Справочник MOSFET. VBK4223N

 

VBK4223N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBK4223N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC70-6

 Аналог (замена) для VBK4223N

 

 

VBK4223N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  cn vbsemi
 vbk4223n.pdf

VBK4223N VBK4223N

VBK4223Nwww.VBsemi.comDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1 2 5 G2

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top