Справочник MOSFET. VBK4223N

 

VBK4223N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBK4223N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC70-6
 

 Аналог (замена) для VBK4223N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK4223N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  cn vbsemi
 vbk4223n.pdf pdf_icon

VBK4223N

VBK4223Nwww.VBsemi.comDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1 2 5 G2

Другие MOSFET... VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , 2N60 , VBK5213N , VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , VBL1203M .

History: AOT1100L | PHD22NQ20T | 2SK1949L | MSF4N60L | PSMN1R2-25YL

 

 
Back to Top

 


 
.