VBK4223N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBK4223N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 typ Ohm

Тип корпуса: SC70-6

Аналог (замена) для VBK4223N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK4223N даташит

 ..1. Size:620K  cn vbsemi
 vbk4223n.pdf pdf_icon

VBK4223N

VBK4223N www.VBsemi.com Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SC-70=-6 S1 S2 S1 1 6 D1 G1 G2 G1 2 5 G2

Другие IGBT... VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, 20N50, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105, VBL1154N, VBL1203M