VBK5213N - аналоги и даташиты транзистора

 

VBK5213N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBK5213N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.090(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для VBK5213N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK5213N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:934K  cn vbsemi
 vbk5213n.pdf pdf_icon

VBK5213N

VBK5213Nwww.VBsemi.comN- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching0.155 at VGS = - 4.5

Другие MOSFET... VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N , CS150N03A8 , VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , VBL1203M , VBL1310 .

 

 
Back to Top

 


 
.