VBK5213N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBK5213N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.090 typ Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для VBK5213N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK5213N даташит

 ..1. Size:934K  cn vbsemi
 vbk5213n.pdf pdf_icon

VBK5213N

VBK5213N www.VBsemi.com N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated N-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching 0.155 at VGS = - 4.5

Другие IGBT... VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N, IRF520, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105, VBL1154N, VBL1203M, VBL1310