VBL2309. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBL2309

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1455 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBL2309

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL2309 даташит

 ..1. Size:744K  cn vbsemi
 vbl2309.pdf pdf_icon

VBL2309

VBL2309 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.008 at VGS = - 10 V - 75 100 % Rg Tested RoHS - 30 56 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.011 at VGS = - 4.5 V - 65 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch S D2PAK (TO-263) G D G S D P

Другие IGBT... VBL1310, VBL1405, VBL1603, VBL1615, VBL1632, VBL165R04, VBL165R18, VBL1806, IRLB3034, VBL2610N, VBL2625, VBL2658, VBM1101M, VBM1101N, VBM1102N, VBM1104N, VBM1105