Справочник MOSFET. VBL2309

 

VBL2309 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBL2309
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1455 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBL2309

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  cn vbsemi
 vbl2309.pdf pdf_icon

VBL2309

VBL2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = - 10 V - 75 100 % Rg TestedRoHS- 30 56 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 65APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchS D2PAK (TO-263)G DGSD P

Другие MOSFET... VBL1310 , VBL1405 , VBL1603 , VBL1615 , VBL1632 , VBL165R04 , VBL165R18 , VBL1806 , 60N06 , VBL2610N , VBL2625 , VBL2658 , VBM1101M , VBM1101N , VBM1102N , VBM1104N , VBM1105 .

History: BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3 | TPC60R150C

 

 
Back to Top

 


 
.