Справочник MOSFET. VBL2309

 

VBL2309 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBL2309
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1455 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для VBL2309

 

 

VBL2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  cn vbsemi
 vbl2309.pdf

VBL2309 VBL2309

VBL2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = - 10 V - 75 100 % Rg TestedRoHS- 30 56 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 65APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchS D2PAK (TO-263)G DGSD P

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top