STU30L01A - описание и поиск аналогов

 

STU30L01A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU30L01A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Электрические характеристики

|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для STU30L01A

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU30L01A даташит

 ..1. Size:118K  samhop
stu30l01a std30l01a.pdfpdf_icon

STU30L01A

Green Product STU/D30L01A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 100V 30A 30 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK (TA

 6.1. Size:118K  samhop
stu30l01 std30l01.pdfpdf_icon

STU30L01A

Green Product STU/D30L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 100V 30A 30 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK (TA=

 9.1. Size:195K  samhop
stu309dh.pdfpdf_icon

STU30L01A

Green Product S TU309DH S amHop Microelectronics C orp. Apr 20 2007 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 22 @ VG S = 10V 34 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 34 @ VG S = 4.5V 54 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1

 9.2. Size:174K  samhop
stu309d.pdfpdf_icon

STU30L01A

S TU309D S amHop Microelectronics C orp. Nov 22 2006 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 23 @ VG S = 10V 35 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 35 @ VG S = 4.5V 55 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 S 1 N-ch S

Другие MOSFET... STU320S , FDB8860F085 , STU310DH , FDB8870 , STU30N15 , FDB8870F085 , STU30N01 , FDB8880 , AON7403 , FDB8896 , STU30L01 , FDB8896F085 , STU309DH , FDC2512 , FDC2612 , STU309D , FDC3512 .

History: FDC365P | STU30L01

 

 

 


 
↑ Back to Top
.