VBM1101N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM1101N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM1101N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1101N даташит

 ..1. Size:1080K  cn vbsemi
 vbm1101n vbl1101n.pdf pdf_icon

VBM1101N

VBM1101N/VBL1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 85 0.0100 at VGS = 6 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S Top View N-Ch

 7.1. Size:946K  cn vbsemi
 vbm1101m.pdf pdf_icon

VBM1101N

VBM1101M www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.092 at VGS = 10 V 100 18 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MA

 8.1. Size:469K  cn vbsemi
 vbm1102n.pdf pdf_icon

VBM1101N

VBM1102N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.018 at VGS = 10 V 100 70a COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE M

 8.2. Size:1417K  cn vbsemi
 vbm1104n.pdf pdf_icon

VBM1101N

VBM1104N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.032 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBL165R04, VBL165R18, VBL1806, VBL2309, VBL2610N, VBL2625, VBL2658, VBM1101M, EMB04N03H, VBM1102N, VBM1104N, VBM1105, VBM1151N, VBM1158N, VBM1201K, VBM1201M, VBM1202M