VBM1101N - аналоги и даташиты транзистора

 

VBM1101N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBM1101N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBM1101N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1101N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1080K  cn vbsemi
 vbm1101n vbl1101n.pdf pdf_icon

VBM1101N

VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch

 7.1. Size:946K  cn vbsemi
 vbm1101m.pdf pdf_icon

VBM1101N

VBM1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.092 at VGS = 10 V10018COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MA

 8.1. Size:469K  cn vbsemi
 vbm1102n.pdf pdf_icon

VBM1101N

VBM1102Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.018 at VGS = 10 V10070aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE M

 8.2. Size:1417K  cn vbsemi
 vbm1104n.pdf pdf_icon

VBM1101N

VBM1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.032 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDTO-220AB GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBL165R04 , VBL165R18 , VBL1806 , VBL2309 , VBL2610N , VBL2625 , VBL2658 , VBM1101M , EMB04N03H , VBM1102N , VBM1104N , VBM1105 , VBM1151N , VBM1158N , VBM1201K , VBM1201M , VBM1202M .

History: MTE50N15Q8 | HFD1N60S | HGB042N10A | TK40X10J1 | IPI26CN10NG | IPP90R800C3 | QM6014S

 

 
Back to Top

 


 
.