VBM15R08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM15R08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.10 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM15R08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM15R08 даташит

 ..1. Size:796K  cn vbsemi
 vbm15r08.pdf pdf_icon

VBM15R08

VBM15R08 www.VBsemi.com N hannel 500 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 500 requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.1 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49 ruggedness Qgs (nC) 13 Fully characterized capacitance and avalanche voltage Qgd (nC) 20 and current Configuration Single D T

 8.1. Size:665K  cn vbsemi
 vbm15r13.pdf pdf_icon

VBM15R08

VBM15R13 www.VBsemi.com N hannel 500 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Reqirements RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.660 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 81 Ruggedness Qgs (nC) 20 Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuration Single Complian

Другие IGBT... VBM1208N, VBM1302, VBM1303, VBM1307, VBL1307, VBM1310, VBM1402, VBM1405, IRF640, VBM15R13, VBM1603, VBM1606, VBM1615, VBM1638, VBM165R02, VBM165R04, VBM165R07