Справочник MOSFET. VBM15R08

 

VBM15R08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM15R08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.10(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBM15R08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM15R08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  cn vbsemi
 vbm15r08.pdf pdf_icon

VBM15R08

VBM15R08www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 500requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13 Fully characterized capacitance and avalanche voltage Qgd (nC) 20and currentConfiguration SingleDT

 8.1. Size:665K  cn vbsemi
 vbm15r13.pdf pdf_icon

VBM15R08

VBM15R13www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500ReqirementsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.660 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 81Ruggedness Qgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguration Single Complian

Другие MOSFET... VBM1208N , VBM1302 , VBM1303 , VBM1307 , VBL1307 , VBM1310 , VBM1402 , VBM1405 , IRFP460 , VBM15R13 , VBM1603 , VBM1606 , VBM1615 , VBM1638 , VBM165R02 , VBM165R04 , VBM165R07 .

History: DMP6180SK3Q | TPB70R950C | NTMFS4939NT1G | CS10N60A8HD | RS1G120MN | AP9435GP-HF | FDP8N50NZU

 

 
Back to Top

 


 
.