Справочник MOSFET. VBMB165R07

 

VBMB165R07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBMB165R07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для VBMB165R07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBMB165R07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  cn vbsemi
vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdfpdf_icon

VBMB165R07

VBM165R07 / VBMB165R07VBE165R07 / VBFB165R07www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r

 0.1. Size:921K  cn vbsemi
vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdfpdf_icon

VBMB165R07

VBM165R07S / VBMB165R07SVBE165R07S / VBFB165R07Swww.VBsemi.comN hannel 650 D S Super Junc n Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.7 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 2.0

 5.1. Size:1391K  cn vbsemi
vbmb165r02.pdfpdf_icon

VBMB165R07

VBMB165R02www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650RequirementRoHSRDS(on) ()VGS = 10 V 4 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 11RuggednessQgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 5.2 Complia

 5.2. Size:1249K  cn vbsemi
vbmb165r04.pdfpdf_icon

VBMB165R07

VBMB165R04 www.VBsemi.comPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 2.1RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Compliant to Ro

Другие MOSFET... VBM15R13 , VBM1603 , VBM1606 , VBM1615 , VBM1638 , VBM165R02 , VBM165R04 , VBM165R07 , IRFB4227 , VBE165R07 , VBFB165R07 , VBM165R07S , VBMB165R07S , VBE165R07S , VBFB165R07S , VBM165R10 , VBMB165R10 .

History: 2SK3019 | VS3628GA | CSD16322Q5

 

 
Back to Top

 


 
.