VBMB165R07. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBMB165R07

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 typ Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для VBMB165R07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBMB165R07 даташит

 ..1. Size:932K  cn vbsemi
 vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdf pdf_icon

VBMB165R07

VBM165R07 / VBMB165R07 VBE165R07 / VBFB165R07 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r

 0.1. Size:921K  cn vbsemi
 vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdf pdf_icon

VBMB165R07

 5.1. Size:1391K  cn vbsemi
 vbmb165r02.pdf pdf_icon

VBMB165R07

VBMB165R02 www.VBsemi.com N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Requirement RoHS RDS(on) ( )VGS = 10 V 4 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5.2 Complia

 5.2. Size:1249K  cn vbsemi
 vbmb165r04.pdf pdf_icon

VBMB165R07

VBMB165R04 www.VBsemi.com Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.1 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19 Compliant to Ro

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBM15R13, VBM1603, VBM1606, VBM1615, VBM1638, VBM165R02, VBM165R04, VBM165R07, 10N60, VBE165R07, VBFB165R07, VBM165R07S, VBMB165R07S, VBE165R07S, VBFB165R07S, VBM165R10, VBMB165R10