VBP165R20S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBP165R20S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 typ Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для VBP165R20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBP165R20S даташит

 ..1. Size:895K  cn vbsemi
 vbm165r20s vbmb165r20s vbp165r20s vbl165r20s.pdf pdf_icon

VBP165R20S

VBM165R20S / VBMB165R20S VBP165R20S / VBL165R20S www.VBsemi.com N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Reduced trr, Qrr, and IRRM VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) max. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.19 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 106 Low switching losses due to reduced Qrr Qgs (nC) 14 Ul

 9.1. Size:871K  cn vbsemi
 vbp1606.pdf pdf_icon

VBP165R20S

VBP1606 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS tested ID (A) 150 Configuration Single Package TO-247 D TO-247AC G S D G N-Channel MOSFET S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PARAMETER S

Другие IGBT... VBFB165R10, VBL165R10, VBM165R12, VBMB165R12, VBL165R12, VBM165R18, VBM165R20S, VBMB165R20S, K3569, VBL165R20S, VBM1680, VBM16R02, VBMB16R02, VBE16R02, VBFB16R02, VBM16R04, VBMB16R04