Справочник MOSFET. VBP165R20S

 

VBP165R20S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBP165R20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO247AC
 

 Аналог (замена) для VBP165R20S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBP165R20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:895K  cn vbsemi
 vbm165r20s vbmb165r20s vbp165r20s vbl165r20s.pdf pdf_icon

VBP165R20S

VBM165R20S / VBMB165R20SVBP165R20S / VBL165R20Swww.VBsemi.comN-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Reduced trr, Qrr, and IRRMVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.19 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 106 Low switching losses due to reduced QrrQgs (nC) 14 Ul

 9.1. Size:871K  cn vbsemi
 vbp1606.pdf pdf_icon

VBP165R20S

VBP1606www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS testedID (A) 150Configuration SinglePackage TO-247DTO-247ACGSDGN-Channel MOSFET SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMETER S

Другие MOSFET... VBFB165R10 , VBL165R10 , VBM165R12 , VBMB165R12 , VBL165R12 , VBM165R18 , VBM165R20S , VBMB165R20S , SPP20N60C3 , VBL165R20S , VBM1680 , VBM16R02 , VBMB16R02 , VBE16R02 , VBFB16R02 , VBM16R04 , VBMB16R04 .

History: IPA105N15N3 | CEP84A4 | BSC123N08NS3G | 2SK2101-01MR | RHP030N03T100 | AM5931P | IRFP9133

 

 
Back to Top

 


 
.