Справочник MOSFET. VBP165R20S

 

VBP165R20S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBP165R20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 71 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO247AC

 Аналог (замена) для VBP165R20S

 

 

VBP165R20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:895K  cn vbsemi
 vbm165r20s vbmb165r20s vbp165r20s vbl165r20s.pdf

VBP165R20S VBP165R20S

VBM165R20S / VBMB165R20SVBP165R20S / VBL165R20Swww.VBsemi.comN-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Reduced trr, Qrr, and IRRMVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.19 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 106 Low switching losses due to reduced QrrQgs (nC) 14 Ul

 9.1. Size:871K  cn vbsemi
 vbp1606.pdf

VBP165R20S VBP165R20S

VBP1606www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS testedID (A) 150Configuration SinglePackage TO-247DTO-247ACGSDGN-Channel MOSFET SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMETER S

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top