VBP18R15S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBP18R15S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 typ Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для VBP18R15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBP18R15S даташит

 ..1. Size:770K  cn vbsemi
 vbm18r15s vbmb18r15s vbp18r15s.pdf pdf_icon

VBP18R15S

VBM18R15S / VBMB18R15S / VBP18R15S www.VBsemi.com N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 800 Available Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction losses Available Qg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC)

Другие IGBT... VBE16R04, VBFB16R04, VBM16R08, VBM17R10, VBM1806, VBM1808, VBM18R15S, VBMB18R15S, STP80NF70, VBM2102M, VBM2309, VBM2610N, VBM2625, VBM2658, VBMB1101M, VBMB1104N, VBMB1203M