Справочник MOSFET. VBP18R15S

 

VBP18R15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBP18R15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO247AC
 

 Аналог (замена) для VBP18R15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBP18R15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  cn vbsemi
 vbm18r15s vbmb18r15s vbp18r15s.pdf pdf_icon

VBP18R15S

VBM18R15S / VBMB18R15S / VBP18R15Swww.VBsemi.comN-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 800Available Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesAvailableQg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)

Другие MOSFET... VBE16R04 , VBFB16R04 , VBM16R08 , VBM17R10 , VBM1806 , VBM1808 , VBM18R15S , VBMB18R15S , 20N50 , VBM2102M , VBM2309 , VBM2610N , VBM2625 , VBM2658 , VBMB1101M , VBMB1104N , VBMB1203M .

History: AP4526GH | UF640G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.