Справочник MOSFET. VBP18R15S

 

VBP18R15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBP18R15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO247AC

 Аналог (замена) для VBP18R15S

 

 

VBP18R15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  cn vbsemi
 vbm18r15s vbmb18r15s vbp18r15s.pdf

VBP18R15S VBP18R15S

VBM18R15S / VBMB18R15S / VBP18R15Swww.VBsemi.comN-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 800Available Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesAvailableQg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top