Справочник MOSFET. FDC3535

 

FDC3535 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDC3535
   Маркировка: .535'
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.183 Ohm
   Тип корпуса: SSOT6
 

 Аналог (замена) для FDC3535

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC3535 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  fairchild semi
 fdc3535.pdf pdf_icon

FDC3535

June 2010FDC3535P-Channel Power Trench MOSFET -80 V, -2.1 A, 183 mFeatures General Description Max rDS(on) = 183 m at VGS = -10 V, ID = -2.1 A This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 233 m at VGS = -4.5 V, ID = -1.9 Abeen optimized for rDS(on), switching performance and High performanc

 ..2. Size:1493K  onsemi
 fdc3535.pdf pdf_icon

FDC3535

April 2015FDC3535 P-Channel Power Trench MOSFET-80 V, -2.1 A, 183 mFeatures General DescriptionMax rDS(on) = 183 m at VGS = -10 V, ID = -2.1 A This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 233 m at VGS = -4.5 V, ID = -1.9 Abeen optimized for rDS(on), switching performance and High performance trenc

 9.1. Size:130K  fairchild semi
 fdc3512 f095.pdf pdf_icon

FDC3535

February 2002 FDC3512 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 80 V RDS(ON) = 77 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

 9.2. Size:133K  fairchild semi
 fdc3512.pdf pdf_icon

FDC3535

February 2002 FDC3512 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 80 V RDS(ON) = 77 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTH24N45MB | BF1100R

 

 
Back to Top

 


 
.