Справочник MOSFET. VBP1104N

 

VBP1104N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBP1104N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO247AC
 

 Аналог (замена) для VBP1104N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBP1104N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  cn vbsemi
 vbp1104n.pdf pdf_icon

VBP1104N

VBP1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.035 at VGS = 10 V10050aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDTO-247ACGSDGSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... VBMB16R08 , VBMB17R07 , VBMB185R05 , VBMB2102M , VBMB2610N , VBMB2658 , VBNC1303 , VBL1303 , RU7088R , VBP15R50S , VBP1606 , VBQA1102N , VBQA1302 , VBQA1303 , VBQA1308 , VBQA1402 , VBQA1405 .

History: IXTH75N10L2 | UF830L-TM3-T | AP2864I-A-HF | PH1330AL | RJU003N03FRA | SPD50P03LG

 

 
Back to Top

 


 
.