VBP1104N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBP1104N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 typ Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для VBP1104N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBP1104N даташит

 ..1. Size:695K  cn vbsemi
 vbp1104n.pdf pdf_icon

VBP1104N

VBP1104N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.035 at VGS = 10 V 100 50a COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters D TO-247AC G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие IGBT... VBMB16R08, VBMB17R07, VBMB185R05, VBMB2102M, VBMB2610N, VBMB2658, VBNC1303, VBL1303, IRFZ48N, VBP15R50S, VBP1606, VBQA1102N, VBQA1302, VBQA1303, VBQA1308, VBQA1402, VBQA1405