Справочник MOSFET. VBZA4430

 

VBZA4430 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZA4430
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBZA4430

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA4430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:890K  cn vbsemi
 vbza4430.pdf pdf_icon

VBZA4430

VBZA4430www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.005at VGS = 10 V 1830 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous0.006 at VGS = 4.5 V 16Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchS

 7.1. Size:492K  cn vbsemi
 vbza4435.pdf pdf_icon

VBZA4430

VBZA4435www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 D

 8.1. Size:1128K  cn vbsemi
 vbza4425.pdf pdf_icon

VBZA4430

VBZA4425www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.023at VGS = - 10 V - 7 100 % Rg TestedRoHS- 30 28 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.030 at VGS = - 4.5 V -5APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S3 6 D

 8.2. Size:1229K  cn vbsemi
 vbza4410.pdf pdf_icon

VBZA4430

VBZA4410www.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 1120 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 9Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBZ84 , VBZA4042 , VBZA4407 , VBZA4409 , VBZA4410 , VBZA4412 , VBZA4420 , VBZA4425 , 2SK3878 , VBZA4435 , VBZA4606 , VBZA4611 , VBZA4618 , VBZA4800 , VBZA4805 , VBZA4850 , VBZA4936 .

History: AM2392N | STN4130 | CSD17552Q3A | TPA70R190C | HAF1004L | PDN3612S | IRFS9540

 

 
Back to Top

 


 
.