Справочник MOSFET. VBZA9358

 

VBZA9358 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZA9358
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA9358 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  cn vbsemi
 vbza9358.pdf pdf_icon

VBZA9358

VBZA9358www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) (), ID (A)d, e Qg (Typ.)Typ. TrenchFET Power MOSFET0.013 at VGS = - 10 V - 8 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.017 at VGS = - 4.5 V - 6APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCs- Game StationsS1 S2SO-8S1 1 D1

 9.1. Size:1508K  cn vbsemi
 vbza9435.pdf pdf_icon

VBZA9358

VBZA9435www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.026at VGS = - 10 V - 6 100 % Rg TestedRoHS- 30 29 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.030 at VGS = - 4.5 V - 5APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S3 6

 9.2. Size:2211K  cn vbsemi
 vbza9945.pdf pdf_icon

VBZA9358

VBZA9945www.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.027RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.041ID (A) per leg8Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D1 78G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel MO

 9.3. Size:459K  cn vbsemi
 vbza9936.pdf pdf_icon

VBZA9358

VBZA9936www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVF8N70K | NCEP026N10F | IAUA200N04S5N010 | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.