VBZE20P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZE20P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 max nC

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для VBZE20P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE20P03 даташит

 ..1. Size:1413K  cn vbsemi
 vbze20p03.pdf pdf_icon

VBZE20P03

VBZE20P03 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.033 at VGS = - 10 V - 43 100 % Rg Tested RoHS - 30 19 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.040 at VGS = - 4.5 V - 30 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch S TO-252 G G D S D Top View P-

 6.1. Size:829K  cn vbsemi
 vbze20p06.pdf pdf_icon

VBZE20P03

VBZE20P06 www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 40 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Sy

 8.1. Size:1435K  cn vbsemi
 vbze20n20.pdf pdf_icon

VBZE20P03

VBZE20N20 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.054 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 8.2. Size:1418K  cn vbsemi
 vbze20n10.pdf pdf_icon

VBZE20P03

VBZE20N10 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.110 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBZE12P10, VBZE15N03, VBZE15N10, VBZE16N05, VBZE20N03, VBZE20N06, VBZE20N10, VBZE20N20, IRF520, VBZE20P06, VBZE2810, VBZE2N60, VBZE30N02, VBZE30N03, VBZE30N06, VBZE30N10, VBZE40N03