Справочник MOSFET. VBZE20P03

 

VBZE20P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZE20P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBZE20P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE20P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1413K  cn vbsemi
 vbze20p03.pdf pdf_icon

VBZE20P03

VBZE20P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 43 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.040 at VGS = - 4.5 V - 30APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-

 6.1. Size:829K  cn vbsemi
 vbze20p06.pdf pdf_icon

VBZE20P03

VBZE20P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 40APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Sy

 8.1. Size:1435K  cn vbsemi
 vbze20n20.pdf pdf_icon

VBZE20P03

VBZE20N20www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.054 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATI

 8.2. Size:1418K  cn vbsemi
 vbze20n10.pdf pdf_icon

VBZE20P03

VBZE20N10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature100 0.110 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBZE12P10 , VBZE15N03 , VBZE15N10 , VBZE16N05 , VBZE20N03 , VBZE20N06 , VBZE20N10 , VBZE20N20 , CS150N03A8 , VBZE20P06 , VBZE2810 , VBZE2N60 , VBZE30N02 , VBZE30N03 , VBZE30N06 , VBZE30N10 , VBZE40N03 .

History: STP80NE06-10 | PHX14NQ20T | UT2316G-AE2-R | STF20NK50Z | SFF240Z

 

 
Back to Top

 


 
.