VBZE30N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZE30N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1725 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для VBZE30N02
VBZE30N02 Datasheet (PDF)
vbze30n02.pdf

VBZE30N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.004 at VGS = 4.5 V 13020 90 nC0.006at VGS = 2.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA
vbze30n06.pdf

VBZE30N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested220.073at VGS = 10 V Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.097 at VGS = 4.5 V 16TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor D
vbze30n03.pdf

VBZE30N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.015at VGS = 10 V 3530 28nC0.025at VGS = 4.5 V 30APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLU
vbze30n10.pdf

VBZE30N10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature1000.030 at VGS = 10 V 35RoHS* Low Thermal Resistance PackageCOMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParame
Другие MOSFET... VBZE20N03 , VBZE20N06 , VBZE20N10 , VBZE20N20 , VBZE20P03 , VBZE20P06 , VBZE2810 , VBZE2N60 , IRF830 , VBZE30N03 , VBZE30N06 , VBZE30N10 , VBZE40N03 , VBZE40N06 , VBZE40N10 , VBZE40P03 , VBZE40P06 .
History: IPP60R165CP | HM3018KR | 2SJ279S | 2SK1793-Z | UTT4850G-S08-R | BSH105 | QM6008G
History: IPP60R165CP | HM3018KR | 2SJ279S | 2SK1793-Z | UTT4850G-S08-R | BSH105 | QM6008G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor