Справочник MOSFET. VBZE30N03

 

VBZE30N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZE30N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 525(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для VBZE30N03

 

 

VBZE30N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2693K  cn vbsemi
 vbze30n03.pdf

VBZE30N03 VBZE30N03

VBZE30N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.015at VGS = 10 V 3530 28nC0.025at VGS = 4.5 V 30APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLU

 6.1. Size:2034K  cn vbsemi
 vbze30n02.pdf

VBZE30N03 VBZE30N03

VBZE30N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.004 at VGS = 4.5 V 13020 90 nC0.006at VGS = 2.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA

 6.2. Size:2059K  cn vbsemi
 vbze30n06.pdf

VBZE30N03 VBZE30N03

VBZE30N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested220.073at VGS = 10 V Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.097 at VGS = 4.5 V 16TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor D

 7.1. Size:1869K  cn vbsemi
 vbze30n10.pdf

VBZE30N03 VBZE30N03

VBZE30N10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature1000.030 at VGS = 10 V 35RoHS* Low Thermal Resistance PackageCOMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParame

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top