Аналоги VBZE40P03. Основные параметры
Наименование производителя: VBZE40P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для VBZE40P03
VBZE40P03 даташит
vbze40p03.pdf
VBZE40P03 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.025 at VGS = - 4.5 V - 35 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S TO-252 G D G D S P-Channel MOSFET
vbze40p06.pdf
VBZE40P06 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ) Definition 0.048 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET - 60 16 0.057at VGS = - 4.5 V - 25 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge Co
vbze40p10.pdf
VBZE40P10 www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 100 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal Resistance ID (A) - 40 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS Directiv
vbze40n03.pdf
VBZE40N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.008at VGS = 10 V 75 30 30 nC 0.011 at VGS = 4.5 V 50 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOL
Другие MOSFET... VBZE2N60 , VBZE30N02 , VBZE30N03 , VBZE30N06 , VBZE30N10 , VBZE40N03 , VBZE40N06 , VBZE40N10 , IRF1405 , VBZE40P06 , VBZE40P10 , VBZE4204 , VBZE4286 , VBZE45N03 , VBZE50N03 , VBZE50N04 , VBZE50N06 .
History: JMSL0613APD | JMSL0615PGDQ | JMSL0612PU | 5N60L-K08-5060-R | FQP44N08 | JMSL0612AG | STT3402N
History: JMSL0613APD | JMSL0615PGDQ | JMSL0612PU | 5N60L-K08-5060-R | FQP44N08 | JMSL0612AG | STT3402N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
Popular searches
c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet







