VBZE40P03 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBZE40P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBZE40P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBZE40P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE40P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:972K  cn vbsemi
 vbze40p03.pdf pdf_icon

VBZE40P03

VBZE40P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.025 at VGS = - 4.5 V - 35APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSTO-252 GDG D S P-Channel MOSFET

 6.1. Size:1080K  cn vbsemi
 vbze40p06.pdf pdf_icon

VBZE40P03

VBZE40P06www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.048 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 60 160.057at VGS = - 4.5 V - 25 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge Co

 7.1. Size:1013K  cn vbsemi
 vbze40p10.pdf pdf_icon

VBZE40P03

VBZE40P10www.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directiv

 8.1. Size:1660K  cn vbsemi
 vbze40n03.pdf pdf_icon

VBZE40P03

VBZE40N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.008at VGS = 10 V 7530 30 nC0.011 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBZE2N60 , VBZE30N02 , VBZE30N03 , VBZE30N06 , VBZE30N10 , VBZE40N03 , VBZE40N06 , VBZE40N10 , IRF9640 , VBZE40P06 , VBZE40P10 , VBZE4204 , VBZE4286 , VBZE45N03 , VBZE50N03 , VBZE50N04 , VBZE50N06 .

History: VS3540AC

 

 
Back to Top

 


 
.