VBZFB40N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZFB40N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(typ) Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для VBZFB40N06
VBZFB40N06 Datasheet (PDF)
vbzfb40n06.pdf

VBZFB40N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedID (A)25 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Power Supply- S
vbzfb40n03.pdf

VBZFB40N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS 30V Halogen-free15RDS(on) VGS = 10 V m TrenchFET Gen III Power MOSFET20RDS(on) VGS = 4.5 V m 100 % Rg TestedRoHS40ID ACOMPLIANT 100 % UIS TestedConfiguration SingleAPPLICATIONSTO-251 DC/DC ConversionD- System PowerGSN-Channel MOSFET G D
vbzfb40n10.pdf

VBZFB40N10www.VBsemi.comN-Channel 200V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.056 at VGS = 10 V 200 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-251APPLICATIONS Primary Side SwitchDDrain Connected to GDrain-TabG D SSTop ViewN-
vbzfb40p04.pdf

VBZFB40P04www.VBsemi.comP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURES-40 V Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDSDefinitionRDS(on),typ VGS=10V 10 m TrenchFET Power MOSFETRDS(on),typ VGS=4.5V 14 m 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC-55 AID APPLICATIONS Power Switch DC/DC ConvertersSTO-251GDG D STop View
Другие MOSFET... VBZFB06N02 , VBZFB10N20 , VBZFB12P10 , VBZFB15N10 , VBZFB20N06 , VBZFB20P06 , VBZFB30N06 , VBZFB40N03 , IRF640N , VBZFB40N10 , VBZFB40P03 , VBZFB40P04 , VBZFB40P06 , VBZFB50N03 , VBZFB50N06 , VBZFB60N03 , VBZFB70N03 .
History: AP9938GEY | HAT2016R | BRCS120N06SYM | SQ3456BEV | P1850EF | MP7AN65EF | DMN67D8LW
History: AP9938GEY | HAT2016R | BRCS120N06SYM | SQ3456BEV | P1850EF | MP7AN65EF | DMN67D8LW



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141