Справочник MOSFET. VBZFB40P03

 

VBZFB40P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZFB40P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для VBZFB40P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZFB40P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  cn vbsemi
vbzfb40p03.pdfpdf_icon

VBZFB40P03

VBZFB40P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFET-30 VVDSFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21RDS(on),typ VGS=10V 18 mDefinitionRDS(on),typ VGS=4.5V 22 m TrenchFET Power MOSFETAID -35 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Load SwitchTO-251 Battery SwitchSGDP-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 5.1. Size:999K  cn vbsemi
vbzfb40p04.pdfpdf_icon

VBZFB40P03

VBZFB40P04www.VBsemi.comP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURES-40 V Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDSDefinitionRDS(on),typ VGS=10V 10 m TrenchFET Power MOSFETRDS(on),typ VGS=4.5V 14 m 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC-55 AID APPLICATIONS Power Switch DC/DC ConvertersSTO-251GDG D STop View

 5.2. Size:1179K  cn vbsemi
vbzfb40p06.pdfpdf_icon

VBZFB40P03

VBZFB40P06www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURES-60 VVDS Halogen-free According to IEC 61249-2-21RDS(on),typ VGS=10V 48 mDefinition TrenchFET Power MOSFET57RDS(on),typ VGS=4.5V m 100 % UIS TestedAID -30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge ConverterTO-251 DC/DC Converter for

 7.1. Size:821K  cn vbsemi
vbzfb40n06.pdfpdf_icon

VBZFB40P03

VBZFB40N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedID (A)25 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Power Supply- S

Другие MOSFET... VBZFB12P10 , VBZFB15N10 , VBZFB20N06 , VBZFB20P06 , VBZFB30N06 , VBZFB40N03 , VBZFB40N06 , VBZFB40N10 , 10N60 , VBZFB40P04 , VBZFB40P06 , VBZFB50N03 , VBZFB50N06 , VBZFB60N03 , VBZFB70N03 , VBZFB80N03 , VBZJ12N06 .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.