FDC6312P - описание и поиск аналогов

 

FDC6312P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDC6312P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SSOT6

Аналог (замена) для FDC6312P

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC6312P даташит

 ..1. Size:88K  fairchild semi
fdc6312p.pdfpdf_icon

FDC6312P

 ..2. Size:204K  onsemi
fdc6312p.pdfpdf_icon

FDC6312P

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..3. Size:896K  cn vbsemi
fdc6312p.pdfpdf_icon

FDC6312P

FDC6312P www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable Ap

 8.1. Size:69K  fairchild semi
fdc6310p.pdfpdf_icon

FDC6312P

April 2001 FDC6310P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are 2.2 A, 20 V. R = 125 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS produced using Fairchild Semiconductor's advanced R = 190 m @ V = 2.5 V DS(ON) GS PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance

Другие MOSFET... FDC5614P , FDC5661N-F085 , FDC602P , FDC604P , FDC606P , FDC608PZ , FDC610PZ , FDC6310P , IRLZ44N , FDC6318P , FDC6320C , STU303S , FDC6321C , STU3030NLS , FDC6327C , STU17L01 , FDC6333C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.